Модуль памяти Samsung DDR4 DIMM 32GB UNB 3200, 1.2V
| Характеристики | |
|---|---|
| CAS Latency (CL) | 22 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 22 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 22 |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем одного модуля | 32 ГБ |
| Пропускная способность | 25600 МБ/с |
| Радиатор | нет |
| Тактовая частота | 3200 МГц |
| Тип памяти | DDR4 |
| Форм-фактор модуля памяти | DIMM |
...
...
