Память AMD 4GB DDR4 2666MHz (R744G2606U1S-UO) Performance Series, 1.2V, Non-ECC, CL16, Bulk
| Характеристики | |
|---|---|
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 35 |
| CAS Latency (CL) | 16 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 18 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 18 |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Напряжение питания | 1.2 В |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем одного модуля | 4 ГБ |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 14900 МБ/с |
| Радиатор | есть |
| Тактовая частота | 2666 МГц |
| Тип памяти | DDR4 |
| Форм-фактор модуля памяти | DIMM |
...
...
